Anodo di titanio rivestito di iridio per placcatura in rame a impulsi inversi Pcb

A causa dei requisiti di progettazione dei circuiti stampati tendono a diametro del filo sottile, alta densità, apertura fine (elevato rapporto profondità/diametro, anche foro micro-passante), riempimento di fori ciechi, la tradizionale placcatura DC diventa sempre più incapace di soddisfare i requisiti , specialmente nella placcatura a foro passante del centro dell'apertura dello strato di placcatura, di solito appaiono su entrambe le estremità dell'apertura dello strato di rame è troppo spesso ma il centro dello strato di rame non è un fenomeno sufficiente. Questa placcatura irregolare influirà sull'effetto della consegna corrente e porterà direttamente a una scarsa qualità del prodotto. Per bilanciare lo spessore del rame sulla superficie, soprattutto nei fori e nelle microvie, è necessario ridurre la densità di corrente, ma ciò allungherà il tempo di placcatura a un livello inaccettabile. Con lo sviluppo dei processi di placcatura, l'anodo di titanio rivestito di iridio per la placcatura in rame a impulsi inversi PCB e gli additivi chimici adatti al processo di placcatura, la riduzione del tempo di placcatura è diventata una realtà e questi problemi possono essere superati dal processo di placcatura a impulsi inversi.

Condizioni di processo tipiche:

Condizioni di prova dell'anodo di titanio:

La nostra attrezzatura:

Rivestimento a tenuta senza crepe, contenuto sufficiente:

Analisi delle sezioni ad alto rapporto di aspetto del rame con placcatura a impulsi anodica insolubile (12: 1)

Anodo di titanio insolubile sezione di processo in rame galvanico ad alto rapporto di aspetto (20:1)

 

Nostro servizio:

Personalizzazione dimensioni e forma

Personalizzazione del rivestimento

Prova di qualità

Ramatura su tavole circolari stampate

Placcatura orizzontale.

Placcatura in rame acido industriale

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